說明
此 NexFET 功率 MOSFET 的設(shè)計(jì)大大減少了功率轉(zhuǎn)換中的損失并針對(duì) 5V 柵極應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

頂視圖 RθJA = 45°C/W所需滿足的條件是貼裝在面積為 1in2 Cu (2 oz.)，厚度為0.060"的環(huán)氧板(FR4)印刷電路板(PCB)上。脈寬≤300μs，占空比≤2%

特性
針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化
超低柵極電荷 (Qg) 和柵漏電荷 (Qgd)
低熱阻抗
額定雪崩能量
無鉛端子封裝
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素
無引線小外形尺寸(SON)3.3mm x 3.3mm塑料封裝

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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