EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明顯更高的性能優(yōu)勢。EPC2012的脈沖額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低柵極電壓時，其性能得以全面增強，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優(yōu)異的dv/dt抗干擾性能。
與具有相同導通電阻的先進硅功率MOSFET相比，EPC2012體積小很多，而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
“隨著宜普氮化鎵場效應晶體管系列產品的不斷擴展，氮化鎵場效應晶體管的性能標桿得以進一步提升。另外，這種新一代eGaN產品是業(yè)界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件�！惫餐瑒�(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。
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