LED芯片分類小知識

    定義：

    MB芯片：MetalBonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品

    特點：

    1、采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底，散熱容易。

    ThermalConductivity

    GaAs:46W/m-K

    GaP:77W/m-K

    Si:125～150W/m-K

    Cupper:300~400W/m-k

    SiC:490W/m-K

    2、通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.

    3、導(dǎo)電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動電流領(lǐng)域。

    4、底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。

    5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于Highpower領(lǐng)域﹐eg:42milMB

    2.GB芯片定義和特點

    定義：

    GB芯片：GlueBonding(粘著結(jié)合)芯片;該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品

    特點：

    1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS(Absorbablestructure)芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。

    2：芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖。

    3：亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。

    4：雙電極結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。

    3.TS芯片定義和特點

    定義：

    TS芯片：transparentstructure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專利產(chǎn)品。

    特點：

    1.芯片工藝制作復(fù)雜，遠高于ASLED。

    2.信賴性卓越。

    3.透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。

4.應(yīng)用廣泛。

    4.AS芯片定義與特點

    定義：

    AS芯片：Absorbablestructure(吸收襯底)芯片，經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力，臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等。

    特點：

    1.四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。

    2.信賴性優(yōu)良。

    3.應(yīng)用廣泛。

    發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類

    1、LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP

    2、VPE：VaporPhaseEpitaxy(氣相磊晶法)GaAsP/GaAs

    3、MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有機金屬氣相磊晶法)AlGaInP、GaN

    4、SH：GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs

    5、DH：GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure，(雙異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs

    6、DDH：GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure，(雙異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAlAs

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