Vishay榮獲2011創(chuàng)新獎(jiǎng)最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應(yīng)傳感器榮獲EDN China 2011創(chuàng)新獎(jiǎng)。在12月1日上海舉行的頒獎(jiǎng)典禮上，SiR870DP榮獲功率器件和模塊類(lèi)的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)，34 THE被授予無(wú)源元件和傳感器類(lèi)的優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。

　　EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)于2005年推出，主要表彰在中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售的芯片和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)計(jì)方面所取得的成就。今年，超過(guò)80家公司的140款產(chǎn)品參加了9個(gè)技術(shù)類(lèi)別的角逐。EDN China的在線讀者投票選出50款提名產(chǎn)品，由技術(shù)專(zhuān)家組和EDN的高級(jí)編輯從中選出了最終的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。

　　100V SiR870DP采用了Vishay的新型ThunderFET®技術(shù)，在4.5V下的導(dǎo)通電阻為7.8mΩ，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，而且在10V下具有非常低的6mΩ導(dǎo)通電阻。對(duì)于設(shè)計(jì)者，器件更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，讓節(jié)能的綠色解決方案降低功耗。

　　SiR870DP在4.5V下的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積低至208mΩ-nC，能夠?yàn)楦哳l率和開(kāi)關(guān)應(yīng)用同時(shí)提供低傳導(dǎo)損耗和低開(kāi)關(guān)損耗，該指標(biāo)是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。MOSFET能在4.5V下導(dǎo)通，在通信磚式電源和總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的隔離DC/DC電源中就能采用各種各樣的PWM和柵極驅(qū)動(dòng)IC。

　　34 THE霍爾效應(yīng)傳感器是業(yè)內(nèi)首款采用非接觸技術(shù)的多匝傳感器，適用于在惡劣環(huán)境中要求使用長(zhǎng)壽命傳感器的應(yīng)用。10匝的34 THE采用的霍爾效應(yīng)技術(shù)使其能在高達(dá)20G的高頻振動(dòng)和高達(dá)50G的沖擊的條件下可靠工作。

　　這款真正上電即運(yùn)行的位置傳感器采用伺服安裝時(shí)具有5千萬(wàn)次循環(huán)的超長(zhǎng)壽命，采用套筒安裝時(shí)的壽命為1千萬(wàn)次，比目前的繞線多匝傳感器的壽命至少長(zhǎng)10倍以上。34 THE的長(zhǎng)壽命使其成為艦艇和越野車(chē)輛中方向盤(pán)伺服控制的理想選擇。

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