說明

該裝置是一個完整的DDR2 PM6670S / 3電源穩(wěn)壓設(shè)計，符合JEDEC規(guī)格。

它集成了一個固定導(dǎo)通時間（COT）降壓控制器，2 APK的匯/源低壓降穩(wěn)壓器和一個15毫安的低噪聲緩沖基準(zhǔn)。

該膠輥結(jié)構(gòu)，保證了快速瞬態(tài)響應(yīng)，同時支持電容和陶瓷輸出電容器。 集成的嵌入式控制回路的直流電壓誤差補(bǔ)償由于輸出紋波。

2 apk文件匯/源線性穩(wěn)壓器提供了快速的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，存儲器終端電壓。

該設(shè)備完全符合系統(tǒng)休眠狀態(tài)S3和S4/S5標(biāo)準(zhǔn)，提供LDO輸出高阻抗掛起到RAM和跟蹤在掛起到磁盤上的所有輸出放電。

主要特點(diǎn)

    開關(guān)部分（提供VDDQ）
        4.5 V至28 V輸入電壓范圍
        0.9伏，± 1％電壓基準(zhǔn)
        1.8伏（DDR2內(nèi)存）或1.5伏（DDR3內(nèi)存）固定輸出電壓
        0.9 V至2.6 V的可調(diào)輸出電壓
        1.237伏± 1％基準(zhǔn)電壓使用
        非�？斓呢�(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)使用固定導(dǎo)通時間控制回路
        沒有R SENSE的電流檢測采用低邊MOSFET的R DS（日）
        負(fù)電流限制
        鎖存OVP和的UVP
        軟啟動內(nèi)部固定在3毫秒
        可選脈沖跳躍在輕負(fù)載
        可選擇不發(fā)聲（33千赫）脈沖跳躍模式
        支持陶瓷輸出電容
        輸出電壓紋波補(bǔ)償
    的VTT LDO和VTTREF
        2 apk文件的LDO與折返的VTT的
        VTT的遠(yuǎn)程傳感
        高阻VTT輸出在S3
        支持陶瓷輸出電容     ± 15 mA低噪聲緩沖基準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價
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