說明
TPS1101是一個(gè)單一的，低RDS（ON），P溝道增強(qiáng)型MOSFET。該設(shè)備已為3 V或5 V電池供電系統(tǒng)的配電德州儀器LinBiCMOSTM的方式優(yōu)化

的過程。 -1.5 V和IDSS的只有0.5微安，最大的VGS（次），TPS1101是理想的高邊開關(guān)為低電壓，便攜式電池管理系統(tǒng)，最大限度地延長(zhǎng)電池壽命是一個(gè)主要問題。低RDS（ON）和出色的交流特性（上升時(shí)間5.5 ns典型值）的TPS1101使其合乎邏輯的選擇低壓開關(guān)應(yīng)用，如脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制器或馬達(dá)/橋式驅(qū)動(dòng)器的電源開關(guān)。

適合高度受限的地方，其他P溝道MOSFET不能收縮的超薄薄小外形封裝或TSSOP（PW）的版本。

特性
低RDS（on）。 。 。在VGS =-10 V〜0.09典型
3 V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容輸入
VGS（TH）= -1.5 V最大
可用在超薄TSSOP封裝（星期三）
高達(dá)2％的MIL-STD-883C方法3015千伏的ESD保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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