說明
TPS22921,TPS22922,并TPS22922B的超低RON負荷開關(guān)與控制開啟。 TPS22921/2/2B包含一個超低rON的P-溝道MOSFET,可以工作在0.9 V的輸入電壓范圍為3.6 V的開關(guān)控制的開/關(guān)輸入(ON),其能夠直接的接口與低電壓控制信號。在TPS22922,并在TPS22922B,添加一個120 - 片上的負載電阻輸出快速放電,當(dāng)開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)。上升時間(轉(zhuǎn)換率)的設(shè)備的內(nèi)部控制,以避免浪涌電流:TPS22921和TPS22922功能,而TPS22922B30μs的上升時間為200微秒。
TPS22921,TPS22922和TPS22922B功能使其成為理想的超低靜態(tài)電流和關(guān)斷電流,可在節(jié)省空間的6-端子晶圓芯片級封裝(WCSP:YZP0.4毫米間距0.5毫米間距和YFP)便攜式電子產(chǎn)品。該設(shè)備的特點是工作在自由空氣的溫度范圍為-40°C至85°C。
特性
輸入電壓:0.9 V至3.6 V
超低導(dǎo)通電阻
RON =14米處VIN =3.6 V
RON =20米VIN= 2.5 V
RON =33米處VIN= 1.8 V
RON =67米處VIN= 1.2 V
RON =116米處VIN= 1.0 V
2-A最大連續(xù)開關(guān)電流
超低靜態(tài)電流:78 nA的在1.8 V
超低關(guān)斷電流:35 nA在1.8 V
低閾值控制輸入,允許使用
1.2V/1.8V/2.5V/3.3V邏輯
受控轉(zhuǎn)換速率,以避免浪涌電流
TPS22921和TPS22922:30μS
TPS22922B:200μS
ESD性能測試每JESD 22
3000-V人體模型
(A114-B,II級)
1000-V帶電器件模型(C101)
六個終端的晶圓級芯片級封裝
0.9毫米×1.4毫米,0.5毫米間距,
0.5毫米高
0.8毫米×1.2毫米,0.4毫米間距,
0.5毫米高
應(yīng)用
掌上電腦
手機
GPS設(shè)備
MP3播放器
外設(shè)端口
便攜式媒體播放器
RF模塊
全新原裝進口,現(xiàn)貨庫存,歡迎來電詢價
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