說明
TPS28225-Q1的是一個提供高效，小尺寸低電磁干擾（EMI）的的解決方案。

由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用的N-通道MOSFET的。

此關(guān)斷模式避免了來自反向輸出電壓的負載。

其它的特性包括欠壓閉鎖，歷史文化名城武漢關(guān)斷和雙向使能/電源正常信號。

此驅(qū)動器額定拓展溫度范圍為-40°ç至105°C間，絕對眼霜依賴結(jié)溫為105°C間。除了input;欠壓的閉鎖，TPS28226-Q1的的工作方式相關(guān)的例句TPS28225-Q1一樣。除非另外注明，所有對于TPS28225-Q1的的參考也適用于TPS28226-Q1。

特性
符合汽車應(yīng)用要求
驅(qū)動2個自適應(yīng)死區(qū)時間為14ns的的N-通道MOSFET的
寬柵極驅(qū)動電壓范圍：4.5V到最高8V，7V到8V間效率最佳
寬電源系統(tǒng)輸入電壓：3V到最高27V
寬輸入脈寬調(diào)制器（PWM）信號：2.0V到最高13.2V振幅
能驅(qū)動每相位電流值≥40A的MOSFET的
高頻運行：14ns廣播延遲和10ns的上升/下降時間允許攪拌摩擦焊 - 2兆赫
支持傳播延遲<30ns的的輸入的PWM脈沖
低側(cè)驅(qū)動器導(dǎo)通電阻（0.4Ω）防止與電壓差上升變動百分（DV / DT）相關(guān)擊穿電流
用于電源級關(guān)斷的3態(tài)PWM的輸入
為了節(jié)省空間，實現(xiàn)使能（輸入）和電源正常（輸出）信號在同一引腳上
熱關(guān)斷
欠壓閉鎖（UVLO），保護
內(nèi)部自舉二極管
經(jīng)濟型小外型尺寸集成電路（SOIC）; 8引腳和耐熱增強型3毫米x 3mm的封裝
是當(dāng)下流行的3作者：劉玉成，input;驅(qū)動器的高性能替代產(chǎn)品

全新原裝進口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價
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