說明
TPS51916提供完整的電源為DDR2，DDR3和DDR3L內(nèi)存系統(tǒng)中最低的總成本和最小的空間。它集成同步降壓穩(wěn)壓控制器（VDDQ的）2-SINK / SOURCE LDO跟蹤（VTT）和緩沖的低噪聲基準(zhǔn)（VTTREF）。 TPS51916采用的D-CAP™模式，再加上kHz/400300千赫頻率為易于使用和快速的瞬態(tài)響應(yīng)，再加上更高的頻率500 kHz載波kHz/670陶瓷輸出電容器無需外部補(bǔ)償?shù)腄-CAP2™模式電路。該VTTREF追蹤優(yōu)異的0.8％的精度內(nèi)為VDDQ / 2。自行車，它提供2 A的峰值電流漏/源能力，只需要10-uF的陶瓷電容。

特性
同步降壓控制器提供VDDQ
轉(zhuǎn)換的電壓范圍：3 V至28 V
輸出電壓范圍：0.7 V至1.8 V的
VREF的0.8％精度
第可選擇ArchitectureD快速瞬態(tài)陶瓷電容器的回復(fù)CAP2模式輸出模式控制
可選的300千赫/ 400千赫/ 500千赫/670 kHz的開關(guān)頻率
自動(dòng)跳過功能的輕，重載荷的優(yōu)化效率
S4/S5國家支持軟關(guān)機(jī)
八達(dá)通/ OVP / UVP/欠壓鎖定保護(hù)
POWERGOOD輸出
2 A LDO（VTT）的緩沖參考（VTTREF）
2 A（峰值）和吸收電流
只需要10 uF的陶瓷輸出電容
緩沖，低噪聲，10 mA輸出VTTREF的
0.8的％VTTREF，20毫伏的VTT精度
在S4/S5支持高阻S3和軟關(guān)機(jī)
熱關(guān)斷
20引腳，3毫米×3毫米QFN封裝

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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