產(chǎn)品信息：
產(chǎn)品型號(hào)：CSD88537ND
產(chǎn)品名稱：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
封裝類別：8SOIC
產(chǎn)品批號(hào)：14+
庫(kù)存數(shù)量：有庫(kù)存
運(yùn)費(fèi)詳情：國(guó)內(nèi)快遞包郵，國(guó)際快遞包郵
付款方式：支付寶，微信，網(wǎng)銀支付，公司美金賬戶
相關(guān)描述：
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12.5 mOhms
配置: Dual
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 14 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
封裝: Reel
商標(biāo): Texas Instruments
下降時(shí)間: 19 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S
最小工作溫度: - 55 C
上升時(shí)間: 15 ns
系列: CSD88537ND
工廠包裝數(shù)量: 2500
商標(biāo)名: NexFET
| 前20個(gè)產(chǎn)品：供應(yīng)原裝電源管理芯片（IC） |
相關(guān)圖片
暫無(wú)CSD88537ND產(chǎn)品相關(guān)圖片信息
