說明
此NexFET功率MOSFET的專為最大限度地減少功率轉換應用中的損耗而設計。
特性
超低QG和QGD
低熱阻
雪崩額定
無鉛終端鍍層
符合RoHS指令標準
無鹵素
毫米5×6毫米塑料封裝
全新原裝進口,現貨庫存,歡迎來電詢價
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