相關(guān)描述:
描述
司機(jī)的FAN3268優(yōu)化雙2A門要開一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和一個(gè)low-side高端P-channel在電機(jī)控制應(yīng)用程序的N-channel MOSFET操作從一個(gè)電壓18V軌道上。司機(jī)有TTL輸入緩沖區(qū)和水平閾值及提供翻譯功能從邏輯的投入。提供了一個(gè)內(nèi)部電路功能,防止使手機(jī)鎖定輸出開關(guān)器件,從現(xiàn)場(chǎng)工作如果低VDD的電源電壓低于操作水平。該用戶內(nèi)部100kW電阻器偏見產(chǎn)量低和反向輸出VDD來保持外部mosfet了啟動(dòng)過程邏輯控制信號(hào)的時(shí)間間隔時(shí)可能不在場(chǎng)的人。
FAN3268™的建筑融合了MillerDrive司機(jī)為最后的輸出階段。這bipolar-MOSFET融合提供高電流在米勒高原場(chǎng)效應(yīng)晶體管的起始階段/讓人討厭的過程,雖然提供了減少開關(guān)損耗,軌到軌電壓擺幅反向電流的能力。
有兩個(gè)獨(dú)立的FAN3268別針,默認(rèn)為上使如果沒有接上。如果啟用密碼用戶通道都有一個(gè)被拉低,OUTA被迫低;如果“啟用密碼反向信道B被拉低,OUTB被迫高。如果一個(gè)輸入,剩下的都是不連貫,內(nèi)部電阻器傾向,外部輸入的mosfet的更好。
特征
經(jīng)營(yíng)范圍4.5V到18V
Low-Side高端PMOS和驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制或NMOS在巴克降壓的應(yīng)用
反向信道B偏見高端PMOS器件與內(nèi)部100kW掉了(電阻)當(dāng)VDD低于UVLO閾值
TTL輸入閾值
在2.4A VOUT 1.6A沉/源= 6 v
內(nèi)部電阻器把司機(jī)要是沒有投入
™MillerDrive技術(shù)
SOIC 8-Lead包裝
從- 40°C到額定+ 125°C環(huán)境
應(yīng)用程序/框圖
電機(jī)控制與PMOS / NMOS半橋式結(jié)構(gòu)
巴克轉(zhuǎn)換器與高端PMOS器件,100%的責(zé)任周期運(yùn)行成為可能
Logic-Controlled負(fù)載電路與高端PMOS開關(guān) 全新原裝進(jìn)口,現(xiàn) 貨庫(kù)存,歡迎來電詢價(jià)------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入: 潤(rùn)百年@電源管理IC
(RCC),電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有,未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。