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描述

DrMOS XS™的家庭,ultra-compact飛兆半導體的下一代fullyoptimized、集成MOSFET加上司機強權階段解決方案的高電流,高頻率同步降壓片直流-直流應用。DrMOS™的FDMF6704A XS整合兩個功率mosfet驅(qū)動IC卡,和拔靴法置肖特基二極管作成一個熱增強,超緊湊6毫米的x 6毫米的這種包裝。用一套綜合的方法,最完整的能量轉(zhuǎn)換階段的優(yōu)化設計提供了關于司機和MOSFET的動態(tài)性能,系統(tǒng)電路中的電感和關系型數(shù)據(jù)庫(在)之上。這大大減少了包裝parasitics和布局與傳統(tǒng)的離散方案帶來的挑戰(zhàn)。DrMOS XS™使用飛兆半導體的高性能PowerTrench™5場效應晶體管技術,這種戲劇性地減少轉(zhuǎn)爐應用在汨同步巴克。PowerTrench™5可以消除需要一個緩沖電路在巴克的轉(zhuǎn)換器的應用。司機IC融合了先進功能,如SMOD輕負荷時,為提高效率。一個5 V的柵極驅(qū)動和一種改進的PCB接口優(yōu)化為最大低端FET區(qū)域,確保暴露墊具有更高的性能。本產(chǎn)品是兼容與新英特爾6毫米×6毫米DrMOS規(guī)格。

特征

熱增強超- 6毫米的緊湊x 6毫米的小方法比常規(guī)包裝84 %的離散的解決方案。
介紹了多芯片組件加上FET同步驅(qū)動。
高電流處理35。
超過93%最高效率。
邏輯電平PWM輸入。
飛兆半導體的PowerTrench®mosfet為乾凈5技術和降低電壓波形響了。
對于優(yōu)化高開關頻率時1兆赫。
SMOD跳過模式[低端門關掉]的輸入。
SyncFET™費雅嘉置肖特基二極管作][集成技術在低端MOSFET。
直譯:置肖特基二極管作整合。
自適應的柵極驅(qū)動的定時shoot-through保護。
[DISB驅(qū)動器輸出傷殘功能#銷]。
(UVLO支路上的低電壓鎖定)。
綠色包裝設計、RoHS費雅嘉兼容。低調(diào)SMD的包裹。

應用程序/框圖

V-core緊湊、無V-core刀片服務器和VTT片直流-直流轉(zhuǎn)換器。
V-core、非V-core臺式電腦和VTT片直流-直流轉(zhuǎn)換器。
V-core、非V-core工作站和VTT片直流-直流轉(zhuǎn)換器。
V-core、非V-core游戲主板和VTT片直流-直流轉(zhuǎn)換器。
游戲平臺。
支大電流片直流-直流點載荷(油料)轉(zhuǎn)換器。
網(wǎng)絡和電信微處理器電壓調(diào)節(jié)器。

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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