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描述

DrMOS XS™的家庭是’s下一代,充分地飛兆半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管ultra-compact、綜合優(yōu)化,再加上司機強權(quán)階段解決方案可以滿足大電流、高頻、同步降壓片直流-直流應(yīng)用。司機的FDMF6705整合兩個功率mosfet,IC卡,和拔靴法置肖特基二極管作成一個熱的增強,ultra-compact PQFN 6x6mm包裹。

用一套綜合的方法,最完整的能量轉(zhuǎn)換階段的優(yōu)化設(shè)計提供了關(guān)于司機和MOSFET的動態(tài)性能,系統(tǒng)電感,功率MOSFET關(guān)系型數(shù)據(jù)庫(在)之上。DrMOS XS™使用飛兆半導(dǎo)體的高性能PowerTrench®MOSFET開關(guān)技術(shù),這種戲劇性地減少響了,完全不需要一個緩沖電路在大多數(shù)巴克轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用。

一個新的驅(qū)動集成電路與降低死亡時間和傳播延遲的進一步提高性能的這部分。一種熱預(yù)警功能已經(jīng)被列入警告潛在的過熱現(xiàn)象的情況。FDMF6705也包含了的特征,例如跳過模式(SMOD),以改進效率隨著3-state light-load PWM輸入為兼容性與廣泛的PWM控制器。

特征

Peak-Efficiency超過93%
處理43A支大電流
高性能PQFN銅夾子的包裹
3-State 5V PWM輸入的司機
比FDMF6704短傳播延遲的
FDMF6704短死倍
Skip-Mode SMOD #(Low-Side門關(guān)掉)輸入
超高溫條件下熱警告旗
傷殘功能(DISB驅(qū)動器輸出# Pin)
為SMOD內(nèi)部拉和下拉式和DISB # #輸入,分別
PowerTrench®費雅嘉電壓波形的mosfet為清潔技術(shù),減少了響個不停
SyncFET™費雅嘉(集成置肖特基二極管作)技術(shù)在Low-Side MOSFET
綜合直譯置肖特基二極管作
自適應(yīng)的柵極驅(qū)動的定時Shoot-through保護
(UVLO使手機鎖定)
對于優(yōu)化的開關(guān)頻率達到1MHz
低調(diào)SMD包裝
綠色包裝設(shè)計、RoHS費雅嘉兼容
基于英特爾®4.0 DrMOS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序/框圖

高性能游戲主機板

刀片服務(wù)器,V-Core緊湊和Non-V-Core片直流-直流轉(zhuǎn)換器

臺式電腦、V-Core和Non-V-Core片直流-直流轉(zhuǎn)換器

工作站

Point-of-Load支大電流片直流-直流轉(zhuǎn)換器(油料)

網(wǎng)絡(luò)和電信微處理器電壓調(diào)節(jié)器

小Form-Factor電壓調(diào)節(jié)模塊

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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