描述

該FPF1007/8/9是_低 R DS P溝道MOSFET的負(fù)載開關(guān)在80μs提供一個(gè)選擇的10微秒，與1ms的壓擺率的開啟控制選項(xiàng)瞬態(tài)/浪涌電流。 為了支持移動(dòng)應(yīng)用需求的趨勢(shì)，最小工作輸入電壓已降低到1.2伏，輸入電流泄漏已被最小化，以延長(zhǎng)電池壽命，以及ESD保護(hù)被設(shè)計(jì)為承受8kV的最低（HBM）的及2KV（CDM）的。

該開關(guān)是控制高有效邏輯輸入（腳），允許它的接口與一個(gè)低電壓信號(hào)直接控制。 ON引腳的下拉電阻內(nèi)部可防止無意設(shè)備開啟時(shí)，在初始狀態(tài)。 片上下拉電阻對(duì)輸出時(shí)啟用開關(guān)打開，關(guān)閉，提供了快速和強(qiáng)大的輸出負(fù)載放電。

特征

• 1.2至5.5V輸入電壓范圍
• 典型_的 R ON = 30mΩ的@ _{在V IN} = 5.5V時(shí)
• 典型_的 R ON = 40mΩ的@ _{在V IN} = 3.3V時(shí)
• 三種不同固定導(dǎo)通上升時(shí)間10μs/80μs/1ms
• 低<10μA的@ _{在V IN} = 3.3V的靜態(tài)電流
• 內(nèi)部拉動(dòng)牽制
• 輸出放電功能
• 上述8000V ESD保護(hù)2000V的HBM和清潔發(fā)展機(jī)制
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序/框圖