ST擴大STripFET技術的高效功率晶體管系列

　　最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高達80V的電壓，可用于太陽能發(fā)電應用(如微型逆變器)、電信設備、聯網設備以及服務器電源。高額定電壓可準許晶體管在48V電信應用中穩(wěn)定工作，高能效還可有效降低運營商網絡成本。此外，這項技術不僅可降低消費電子的電源能耗，在可使其在更低的溫度下工作，從而提高用戶的使用體驗，并延長電池壽命。

　　首批推出的5款產品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半導體最新的DeepGATE™溝道MOSFET架構，這五款產品擁有業(yè)界同類產品最低的單位芯片面積通態(tài)電阻。這些低損耗器件選擇多種微型工業(yè)標準封裝，使客戶能夠提高系統(tǒng)能效，同時降低印刷電路板的尺寸和總體組件數量/成本。

　　主要特性：

　　· 60V和80V擊穿電壓

　　· 0.0016Ω通態(tài)電阻 (STH260N6F6-2)

　　· 180A額定電流 (STx260F6N6)

　　· 100%雪崩測試

　　采用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與采用H2PAK-2貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。

　　采用PowerFLAT 5x6封裝的STL75N8LF6預計于2011年第三季度推出樣片。PowerFLAT封裝可縮減芯片的占板空間，同時優(yōu)化輸出電流。

當前的電子資訊：ST擴大STripFET技術的高效功率晶體管系列
上一篇電子資訊：[上一篇]：Citrusleaf推出實時存取產品Ci
下一篇電子資訊：[下一篇]：泛華恒興推出數據采集分析設計軟件