英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET。結(jié)合創(chuàng)新的包裝技術(shù)和英飛凌的薄晶圓的工藝技術(shù)，新的40V的OptiMOS™T2的功率MOSFET。英飛凌采用擴散焊接模具附加的方法來生產(chǎn)的無鉛封裝，包括TO - 220，TO - 262和TO - 263。由于在封裝幾何方面的具體要求，模具墊厚度和芯片尺寸的擴散焊接模具適合這三種封裝類型，英飛凌能夠提供他們的OptiMOS T2的包在這些產(chǎn)品的生產(chǎn)準備。

　　隨著新的MOSFET系列，英飛凌超過目前符合RoHS(有害物質(zhì)限制)與鉛基焊料，用來連接硅芯片令。待2014年實施后，可能需要100%無鉛封裝。由于在同行業(yè)中第一個MOSFET，英飛凌新設(shè)備使客戶能夠滿足這些嚴格的要求。

　　“英飛凌是在功率半導體和相關(guān)封裝技術(shù)的領(lǐng)導者。引進無鉛封裝，英飛凌是世界上第一個芯片供應商，目前我們的汽車客戶未來的證明，符合RoHS標準，環(huán)保MOSFET，以發(fā)展高效節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品。“

　　英飛凌專利的無鉛芯片連接(包芯片和引線框架之間的互聯(lián))使用擴散焊接方法，它可以更好的電氣性能和熱性能，制造和質(zhì)量。

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