說明
LM5114是旨在推動(dòng)升壓型配置低側(cè)MOSFET或隔離拓?fù)涞拇渭壨�步MOSFET驅(qū)動(dòng)。具有很強(qiáng)的灌電流能力，LM5114可以驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián)FET的。 LM5114也有必要推動(dòng)低端的增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場效應(yīng)管的特點(diǎn)。 LM5114提供反相和非反相輸入反相和非反相柵極驅(qū)動(dòng)器在一個(gè)單一設(shè)備類型，以滿足要求。 LM5114輸入TTL邏輯兼容，承受的輸入電壓高達(dá)14V的VDD電壓無關(guān)。 LM5114已分裂門輸出，提供靈活調(diào)整導(dǎo)通和關(guān)閉實(shí)力獨(dú)立。

特性

獨(dú)立源和接收器輸出可控的上升和下降時(shí)間
〜+4 V至+12.6 V單電源供電
7.6A/1.3A峰匯/源驅(qū)動(dòng)電流
的0.23Ω開漏下拉SINK輸出
2Ω開漏上拉源輸出
為12ns（典型值）的傳播延遲
反相和非反相輸入之間的延遲時(shí)間匹配
TTL邏輯輸入
0.68V的輸入遲滯
高達(dá)+14 V的邏輯輸入（VDD電壓無關(guān)）
低輸入電容：2.5pF（典型值）
-40°C至+125°C的工作溫度范圍
與MAX5048引腳對引腳兼容

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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