說明
TPS28225-Q1的是一個(gè)提供高效，小尺寸低電磁干擾（EMI）的的解決方案。

由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用通道的N-MOSFET。

此關(guān)斷模式避免了來自反向輸出電壓的負(fù)載。

其它的特性包括欠壓閉鎖，歷史文化名城武漢關(guān)斷和雙向使能/電源正常信號(hào)。

此驅(qū)動(dòng)器額定拓展溫度范圍為至-40°C 105°C間，絕對(duì)眼霜依賴結(jié)溫為105°C。除了input;欠壓的閉鎖，TPS28226-Q1的的工作方式相關(guān)的例句TPS28225-Q1一樣。除非另外注明，所有對(duì)于TPS28225-Q1的的參考也適用于TPS28226-Q1。

特性
符合汽車應(yīng)用要求
驅(qū)動(dòng)2個(gè)自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間為的14ns的MOSFET的N-通道
寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍：到最高8V 4.5V，7V 8V到：間效率最佳
寬電源系統(tǒng)input;電壓差：3V 27V到最高
寬輸入脈寬調(diào)制器（PWM）信號(hào)2.0V 13.2V到：最高振幅
能驅(qū)動(dòng)每相位電流值≥40A的MOSFET的
高頻運(yùn)行：14ns 10ns的廣播延遲和上升/下降時(shí)間允許攪拌摩擦焊 - 2兆赫
支持傳播延遲為30ns的PWM的輸入脈沖
低側(cè)驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻（0.4Ω）防止與電壓差上升變動(dòng)百分（DV / DT）相關(guān)擊穿電流
用于電源級(jí)關(guān)斷的3態(tài)PWM的輸入
為了節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)使能（輸入）和電源正常（輸出）信號(hào)在同一引腳上
熱關(guān)斷
欠壓閉鎖（UVLO），保護(hù)
內(nèi)部自舉二極管
經(jīng)濟(jì)型小外型尺寸集成電路（SOIC）; 8引腳和耐熱增強(qiáng)型3毫米x 3mm的封裝
是當(dāng)下流行的3作者：劉玉成，input;驅(qū)動(dòng)器的高性能替代產(chǎn)品

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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