相關(guān)描述:
特點(diǎn)
兩個(gè)高效率降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器, 我出= 600毫安 ,具有4MHz的開(kāi)關(guān)頻率使用選擇的弱小1μH的電感器,高達(dá)800毫安。
三可容納300 mA的負(fù)載電流LDO的每個(gè)數(shù)字
兩個(gè)低噪聲模擬300毫安LDO的
雙低投入低產(chǎn)出的調(diào)節(jié)器,I = 300 mA的輸出
我 2 C兼容接口控制的內(nèi)部寄存器
通過(guò)我的啟動(dòng)順序可調(diào) 2 C或配置
熱關(guān)斷保護(hù)
說(shuō)明
此設(shè)備是一個(gè)多功能,可編程電源管理單元(PMU),優(yōu)化子模塊的功率解決方案。 該器件集成了兩個(gè)600 mA的高效率降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,通過(guò)一個(gè)可配置多達(dá)800動(dòng)態(tài)電壓縮放(DVS)的mA的負(fù)載I 2 ç,兩個(gè)低噪聲模擬的LDO,三個(gè)數(shù)字的LDO可容納300 mA的負(fù)載電流,每年兩低投入低產(chǎn)出器(LILO)穩(wěn)壓器和一個(gè)I 2 C兼容串行接口,允許對(duì)內(nèi)部控制的注冊(cè)主機(jī)控制器訪問(wèn)。 該器件還具有可編程的上電順序。 LDO穩(wěn)壓器提供高PSRR,低噪音非常適用于供電既適用于模擬和數(shù)字負(fù)載。
該器件可配置為一個(gè)模塊Sub_PMU是(例如,照相機(jī)/多媒體模塊)或作為一個(gè)獨(dú)立的PMU處理器本身的權(quán)力。
“注意:此文件不是一個(gè)數(shù)據(jù)表。 如需更多有關(guān)該產(chǎn)品的資料或訂購(gòu)樣品,請(qǐng)聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐拿绹?guó)國(guó)家半導(dǎo)體銷售辦事處或訪問(wèn)http://www.national.com/support/dir.html。
重點(diǎn)規(guī)范
190 mV典型值。 數(shù)字LDO的電壓差@ 300毫安
2%的典型。 數(shù)字和模擬輸出LDO的電壓精度
10μVrmsLDO的輸出噪聲對(duì)模擬
± 2%典型值。 輸出電壓雄鹿效率高達(dá)93%
30焊球micro SMD封裝(0.5 mm間距)
應(yīng)用
多媒體處理器
便攜式手持產(chǎn)品
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