說明
此 NexFET 功率 MOSFET 的設(shè)計大大減少了功率轉(zhuǎn)換中的損失并針對 5V 柵極應(yīng)用進行了優(yōu)化。

在 1 in2 2 盎司純銅 (Cu) (2 oz.) 且厚度為 0.060" 的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脈寬 ≤300μs，占空比 ≤2%
顯示更多內(nèi)容 隱藏此內(nèi)容
特性
針對 5V 柵極驅(qū)動而優(yōu)化
VGS = 2.5V 時的額定電阻值
超低柵極電荷 (Qg) 和柵漏電荷 (Qgd)
低熱電阻
額定雪崩能量
無鉛端子封裝
符合 RoHS 標準
無鹵素
無引線小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

全新原裝進口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入：潤百年@開關(guān)電源管理IC/芯片
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng)商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復(fù)制