說明
此 NexFET 功率MOSFET已被設計成在功率轉換應用中大大降低功率損失。
特性
超低柵極電荷(Qg)和柵漏電荷(Qgd)
極低接通電阻
低熱阻性
額定雪崩能量
無鉛端子電鍍
符合 RoHS 標準
無鹵素
全新原裝進口,現貨庫存,歡迎來電詢價
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