概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過(guò)程中，已特別針對(duì)減少通態(tài)電阻。
此設(shè)備是非常適合的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用常見于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=4.5mΩ，在V GS = 10V，I D = 18.5A
最大R DS（ON）=6.0mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 16A
5.6kV典型（注3）HBM ESD保護(hù)水平
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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