概述

這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開(kāi)關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)器和有源功率因數(shù)校正。

特點(diǎn)

的R DS（ON）=0.12Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 9A
低柵極電荷（典型值20nC）
低C RSS（典型值24pF）
快速開(kāi)關(guān)
100％的雪崩測(cè)試
提高dv / dt能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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