概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽®過(guò)程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=14.5mΩ在V GS = 10V，I D = 11.5A
最大R DS（ON）=16.3mΩ在V GS = 4.5V，I D = 10A
先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合低R DS（ON）
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流轉(zhuǎn)換

應(yīng)用筆記

AN - 9036：飛兆半導(dǎo)體Power56 （435 K）2011年8月19日，使用準(zhǔn)則

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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