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描述
是一個大的FDZ3N513ZT NMOS /肖特基組合(FETky)和設計和有線的功能相當于一個斷續(xù)(DCM)提高LED動力傳動為移動LED背光的應用。
特征
單片NMOS和肖特基二極管
超小型形式因素等級的可行性WLCSP x
馬克斯關系型數(shù)據(jù)庫(在)= = 462 mΩ4.5 V在VGS,身份證= 0.3
馬克斯關系型數(shù)據(jù)庫(在)= 520 mΩVGS = 320 V,在一個ID = 0.3
2000V恒ESD保護水平(Note3 >)
RoHS柔順
應用程序/框圖
為提高轉爐動力鋰離子LED背光的單一細胞全新原裝進口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價------------------------------------------------------------------------------------------
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