概述

已專(zhuān)此N溝道MOSFET，以改善整體效率直流/直流轉(zhuǎn)換器，PWM控制器采用同步或常規(guī)的開(kāi)關(guān)。 它已被優(yōu)化的低柵電荷，低R DS（ON）和快速開(kāi)關(guān)速度。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=8.5mΩ，在V GS = 10V，I D = 35A
最大R DS（ON）=12.0mΩ在V GS = 4.5V，I D = 35A
低柵極電荷Q G（10）= 21nC（典型值），V GS = 10V
低柵極電阻
額定雪崩和100％測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

臺(tái)式電腦和服務(wù)器的核心電壓的DC - DC
VRM為中間總線(xiàn)架構(gòu)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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