相關(guān)描述:
描述
結(jié)合了非同一般的表現(xiàn)的FDFM2N111飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench MOSFET技術(shù)與極低的電壓降的肖特基整流器提出在MicroFET包裹。
該設(shè)備是專門設(shè)計作為一個單一的整體包裝解決方案為標(biāo)準(zhǔn)巴克轉(zhuǎn)換器。它的特點是快速切換的費用、低門以極低的onstate場效應(yīng)晶體管的抵抗。
特征
4、20 V
- 關(guān)系型數(shù)據(jù)庫(在)= = 100兆瓦@ 4.5 V器
- 關(guān)系型數(shù)據(jù)庫(在)= 1.5 mW @ VGS = 2.5 V
低調(diào)0.8毫米的最大新的包裝MicroFET三三毫米
應(yīng)用程序/框圖
標(biāo)準(zhǔn)巴克轉(zhuǎn)換器 全新原裝進(jìn)口,現(xiàn)貨庫存,歡迎來電詢價-----------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入: 潤百年@電源管理IC
(RCC),電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有,未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。