相關(guān)描述:
描述
使用飛兆半導(dǎo)體的專有戰(zhàn)壕的設(shè)計(jì)、先進(jìn)的技術(shù)、1200V《不擴(kuò)散核武器條約》和《不擴(kuò)散核武器條約》IGBT開(kāi)關(guān)性能提供優(yōu)越的導(dǎo)電、高雪崩堅(jiān)固性及易并網(wǎng)運(yùn)行。
這種裝置很適合共振或軟交換應(yīng)用感應(yīng)加熱、微波爐等。
特征
《不擴(kuò)散核武器條約》,積極的溫度系數(shù)戰(zhàn)壕技術(shù)
低飽和:-發(fā)射極飽和壓降低,2.0V打字@ IC = = = 25°氧化鋁和TC C
Eoff開(kāi)關(guān)損耗低,打字:0.96mJ @ IC = = = 25°氧化鋁和TC C
提高雪崩能力非常 全新原裝進(jìn)口,現(xiàn)貨庫(kù)存,歡迎來(lái)電詢價(jià)------------------------------------------------------------------------------------------
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