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描述
這是不HGTP5N120BND HGTG5N120BND沖床和不擴(kuò)散核武器條約》(NPT)——通過IGBT的設(shè)計(jì)。它們是新成員的MOS封閉的高電壓開關(guān)IGBT的家庭。結(jié)合的最佳特征IGBTs mosfet和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和低導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。IGBT的TA49308用的是開發(fā)類型。二極管的TA49058用的是開發(fā)類型(零件號(hào)RHRD6120)。
是理想的IGBT的許多高電壓開關(guān)應(yīng)用操作以中等頻率低傳導(dǎo)損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機(jī)控制、電力供應(yīng)以及驅(qū)動(dòng)繼電器和接觸器、辦公自動(dòng)化設(shè)備。
TA49306從前發(fā)育類型。
特征
長(zhǎng)進(jìn),1200V = 25°C,牽引力控制系統(tǒng)
SOA能力1200V切換
典型的秋天時(shí)間。。。。。。。。。。。。。。。。175ns = 150°C在研究
短路評(píng)級(jí)
傳導(dǎo)損失低
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