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描述
是一種MOS封閉的HGTG20N60A4D高壓開關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場效應晶體管和低導通狀態(tài)的雙極晶體管導通損失。導通狀態(tài)的電壓降的低得多的變化而變化25oC和150oC之間只有適度。IGBT的TA49339用的是開發(fā)類型。用于anti-parallel二極管的TA49372是發(fā)展類型。
這IGBT是理想的許多高電壓開關(guān)應用程序運行在高頻段低傳導損失的地方是至關(guān)重要的。該裝置進行了優(yōu)化,為高頻頻率切換式電源供應。
TA49341從前發(fā)育類型。
特征
在更大的占空比,涵蓋> 20A操作
在更大的占空比,200kHz 12A操作
SOA能力600伏特轉(zhuǎn)換
典型的秋天時間。。。。。。。。。。。。。。。。.55ns 125°C =在研究
傳導損失低
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