說(shuō)明

該控制器是一個(gè)集成電路設(shè)計(jì)采用的BiCMOS - DMOS的，第5版（BCD5）技術(shù)，提供完整的控制邏輯和生產(chǎn)高性能的保護(hù)，降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器和niPOL。

它是設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步整流降壓轉(zhuǎn)​​換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的N -溝道MOSFET。 轉(zhuǎn)換器的輸出電壓可精確調(diào)節(jié)到600 mV時(shí)，為± 0.8％的最高容忍，或至1.2 V，當(dāng)一個(gè)內(nèi)部參考使用。

它也可以使用從0 V的外部引用2.5五

輸入電壓范圍可以從1.8 V至14 V，而電源電壓范圍從4.5 V至14五高峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器快速切換到外部電源部分，輸出電流可在20提供一個(gè)多余，對(duì)使用外部MOSFET數(shù)量而定。 PWM占空比的范圍可以從0％到100％，最低生理鹽水─（大于min））較低的100時(shí)間（T ON時(shí) ，轉(zhuǎn)換成為可能具有非常低的占空比和非常高的開(kāi)關(guān)頻率。

該器件提供電壓模式控制。 它包括一個(gè)400 kHz的自由運(yùn)行的振蕩器，調(diào)整范圍從100 kHz到1兆赫。 誤差放大器的特點(diǎn)10 M​​Hz增益- bandwidthproduct和5 V /μs壓擺率，允許以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)的高轉(zhuǎn)換帶寬。 該裝置通過(guò)使用監(jiān)控雙方的海賽德和低邊MOSFET（S）和省去了電流檢測(cè)電阻的需要，保證了電流的使用條件，在所有有效保護(hù)的RDS（ON）電流。 必要時(shí)，兩種不同的電流限制保護(hù)，可通過(guò)外部設(shè)置兩個(gè)外部電阻器。 可調(diào)的前沿消隱時(shí)間也可用來(lái)避免錯(cuò)誤過(guò)電流保護(hù)（OCP的）在每個(gè)應(yīng)用程序的情況干預(yù)。

這是可以選擇的打嗝模式或恒流保護(hù)（L6730B）后軟啟動(dòng)階段。

在這一階段提供恒定電流保護(hù)。 這是可能的選擇sinksource或源- only模式功能由一個(gè)多功能引腳（L6730）代理（在設(shè)備通電）。 禁用的L6730在軟啟動(dòng)，以便讓下沉模式功能，在預(yù)偏置輸出電壓條件下適當(dāng)?shù)膯��?dòng)也。 該L6730B可以隨時(shí)吸收電流，因此它可以用來(lái)提供對(duì)DDR內(nèi)存總線終止。

其他功能還包括主從同步（與180 °相移），電源良好可調(diào)延遲過(guò)電壓保護(hù)，斷開(kāi)反饋，可選擇UVLO閾值（5 V和12 V總線）和熱關(guān)斷。 該HTSSOP20包可以非常緊湊型DC / DC轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)。

主要特點(diǎn)

    輸入電壓范圍從1.8 V至14 V的
    電源電壓范圍從4.5 V至14 V的
    可調(diào)輸出電壓低至0.6 V的± 0.8％的電壓精度和溫度（0℃〜125℃）
    固定頻率電壓模式控制
    T在低于100毫微秒
    0％至100％的占空比
    可選的0.6 V或1.2 V內(nèi)部電壓基準(zhǔn)
    外部輸入電壓基準(zhǔn)
    軟啟動(dòng)和抑制
    嵌入式高電流驅(qū)動(dòng)
    預(yù)測(cè)反交叉?zhèn)鲗?dǎo)控制
    可選擇的UVLO閾值（5伏或12伏總線）
    可編程的高側(cè)和低側(cè)的RDS（on）的意義過(guò)流保護(hù)
    從100 kHz的開(kāi)關(guān)頻率為1兆赫的可編程
    主/ 180 °相移從同步
    預(yù)偏置啟動(dòng)能力（L6730）
    可選的源/匯或來(lái)源只有能力后軟啟動(dòng)（L6730）
    可選恒流或打嗝模式后軟啟動(dòng)（L6730B）過(guò)流保護(hù)
    電源良好輸出，可編程延時(shí)
    可選過(guò)壓保護(hù)鎖存/非鎖存模式
    熱關(guān)斷
    包裝：HTSSOP20

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