說明

該控制器是一個(gè)集成電路BCD5（的BiCMOS - DMOS的，第5版）制造，提供高性能降壓DC - DC和niPOL轉(zhuǎn)換器完全控制邏輯和保護(hù)實(shí)現(xiàn)。

它是設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步整流降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的N -溝道MOSFET。 轉(zhuǎn)換器的輸出電壓可精確調(diào)節(jié)到為600mV為± 0.8％，最高或到1.2V時(shí)，內(nèi)部參考用一個(gè)寬容。 它也可以使用外部參考從0V到2.5V。 輸入電壓范圍從1.8V至14V，當(dāng)電源電壓范圍為4.5V至14V。 高峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器提供快速切換到外部電源部分，輸出電流可在不超過20A，這取決于所使用的外部MOSFET的數(shù)目。 PWM占空比的范圍可以從0％到100％，最小導(dǎo)通時(shí)間（T ON時(shí) ， 分 ）低于100ns的高開關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換成為可能具有非常低的占空比和非常。

該器件提供電壓模式控制。 它包括一個(gè)400kHz的自由運(yùn)行的振蕩器，可調(diào)從100kHz至1MHz。 誤差放大器具有10MHz的增益帶寬產(chǎn)品和5V/μs擺率，允許以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)的高轉(zhuǎn)換帶寬。 該設(shè)備監(jiān)控）目前使用的 R DS（兩個(gè)高邊和低邊MOSFET（S）和消除需要一個(gè)電阻電流感應(yīng)，保證有效的過電流保護(hù)在所有的應(yīng)用條件。 必要時(shí)，兩種不同的電流限制保護(hù)，可通過外部設(shè)置兩個(gè)外部電阻器。 可調(diào)的前沿消隱時(shí)間也可用來避免錯(cuò)誤過電流保護(hù)（OCP）在每一個(gè)應(yīng)用情況的干預(yù)措施。 這是可以選擇的打嗝模式或恒流保護(hù)（L6730D）后軟啟動(dòng)階段。

在軟啟動(dòng)階段恒流提供保護(hù)。 這是可能的選擇（在設(shè)備開啟）的源庫(kù)，或由一個(gè)多功能引腳（L6730C）代理源只讀模式的能力。 禁用的L6730C在軟啟動(dòng)，以便讓下沉模式功能，在預(yù)偏置輸出電壓條件下適當(dāng)?shù)膯��?dòng)也。 該L6730D可以隨時(shí)吸收電流，因此它可以用來提供對(duì)DDR內(nèi)存總線終端。 其他功能是主從同步（與180 °相移），電源與可調(diào)延時(shí)，過電壓保護(hù)，反饋斷開，可選UVLO閾值（5V和12V總線）和熱關(guān)斷好。 該HTSSOP20包允許真正緊湊型DC / DC轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)。

主要特點(diǎn)

    輸入電壓范圍從1.8V到14V
    電源電壓范圍為4.5V到14V
    可調(diào)輸出電壓低至0.6V，± 0.8％精度過電壓和溫度（0˚℃〜125˚三）
    固定頻率電壓模式控制
    T在低于100ns的
    0％至100％的占空比
    可選擇0.6V的內(nèi)部參考電壓或1.2V
    外部輸入電壓基準(zhǔn)
    軟啟動(dòng)和抑制
    嵌入式高電流驅(qū)動(dòng)
    預(yù)測(cè)反crossconduction控制
    可選擇的UVLO閾值電壓（5V或12V總線）
    可編程的高側(cè)和低側(cè)的 R DS（上）的意義過電流保護(hù)
    可編程開關(guān)頻率從100kHz到1MHz
    主/ 180˚與相移從同步
    預(yù)偏置啟動(dòng)能力（L6730C）
    可選的源/匯或來源只有能力后軟啟動(dòng)（L6730C）
    可選恒流或打嗝模式后軟啟動(dòng)（L6730D）過流保護(hù)
    電源良好輸出具有可編程延遲
    多年來與選擇鎖定/未鎖定模式電壓保護(hù)
    熱關(guān)斷
    包裝：HTSSOP20，QFN4x4 24L 

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