說明

該L6747A是一個靈活的，高頻率dualdriver專門設計用于驅(qū)動同步整流降壓拓撲結構連接的N溝道MOSFET。

與ST的PWM控制器相結合，驅(qū)動程序允許完整的現(xiàn)代大電流的CPU，并為DC - DC轉(zhuǎn)換穩(wěn)壓器的一般解決方案的實施。

嵌入的L6747A為高側(cè)和低側(cè)MOSFET的高電流驅(qū)動器。 該器件接受5靈活的電源V至12五

這使高側(cè)和lowside柵極驅(qū)動電壓，以最大限度地提高系統(tǒng)效率的優(yōu)化。

嵌入式舉二極管無需外部二極管的需求。 反直通管理防止同時進行的高側(cè)和低側(cè)MOSFET，并與自適應死區(qū)時間控制相結合，最大限度地減少了LS體二極管的導通時間。

L6747A具有初步的保護，過壓，從危險的過電壓保護由于MOSFET的負載在啟動時失敗。

該L6747A器件提供一個VFDFPN8 3x3毫米封裝。

主要特點

    同步整流轉(zhuǎn)換器的雙MOSFET驅(qū)動器
    高驅(qū)動外部MOSFET電流快速開關
    集成的自舉二極管
    高頻工作
    使能引腳
    自適應死區(qū)時間管理
    靈活的柵極驅(qū)動器：5 V至12 V兼容
    高阻抗（高阻抗）管理輸出級關斷
    初步過壓（OV）保護
    VFDFPN8 3x3毫米封裝

全新原裝進口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理芯片 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。