說明

該M40SZ100Y / W型的NVRAM控制器是一個(gè)獨(dú)立的裝置，轉(zhuǎn)換成非揮發(fā)性記憶體標(biāo)準(zhǔn)的低功耗SRAM。精密電​​壓參考和比較器監(jiān)視VCC輸入是否超出容限的條件。

當(dāng)一個(gè)無效VCCcondition發(fā)生時(shí)，芯片使能輸出條件（經(jīng)濟(jì)）被強(qiáng)制停止到寫保護(hù)在SRAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在電源發(fā)生故障時(shí)，SRAM是從VCC引腳切換到內(nèi)SNAPHAT（或16引腳SOIC外部電池）鋰電池，提供數(shù)據(jù)保存所需的能量。在隨后的電，仍寫在SRAM功率條件下，直到一個(gè)有效的回報(bào)保障。

28針，330密耳SOIC封裝提供了可直接連接到一個(gè)單獨(dú)的SNAPHAT ®住房包含電池鍍金觸點(diǎn)插座。該SNAPHAT房屋已鍍金引腳確�？煽窟B接，用以交配的插座。住房，關(guān)鍵在于有一套以防止不正確插入。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使電池包的SNAPHAT擬就的SOIC封裝頂部安裝后的表面貼裝過程的完成，大大減少了焊成的支架中板生產(chǎn)直接焊接或插入電池過程的復(fù)雜性。提供非揮發(fā)性成了“小菜一碟�！贝斯δ芤彩窃凇盁o上裝”16引腳SOIC封裝（MQ的）提供。

在回流焊后SNAPHAT防止?jié)撛诘淖》坎迦腚姵卦斐傻膿p害進(jìn)行設(shè)備表面安裝所需的高溫。該SNAPHAT住房也是扣住以防止反向插入。

28引腳SOIC封裝和電池分別運(yùn)往塑料防靜電管或磁帶和卷軸形式。對(duì)于28引腳SOIC，電池/水晶包（例如，SNAPHAT）的一部分，編號(hào)為“M4ZXX - BR00SH”（見第23頁表13）。

主要特點(diǎn)

    轉(zhuǎn)換成低功率SRAM的NVRAMs
    5V或3V工作電壓
    精密電​​源監(jiān)測(cè)和電源開關(guān)電路
    自動(dòng)寫保護(hù)當(dāng)VCCis外的寬容
    電源電壓和功率的選擇失效取消電壓：
        M40SZ100Y：的VCC = 4.5至5.5V; 4.20V≤4.50≤VPFD
        M40SZ100W：的VCC = 2.7至3.6V，2.55V≤2.70 V≤VPFD
    復(fù)位輸出功率（RST）的上電復(fù)位
    1.25V的引用（聯(lián)誼會(huì)/ PFO的）
    小于10ns的芯片能夠訪問傳輸延遲（在5V）
    選購包裝包括一個(gè)28引腳SOIC和SNAPHAT ®頂（需單獨(dú)訂購）
    28引腳SOIC封裝提供了一個(gè)SNAPHAT頂部包含電池直接連接
    電池低引腳（基本法）
    符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
        無鉛二級(jí)互連

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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