說明

該M40Z111 / W型的NVRAM主管是一個(gè)獨(dú)立的裝置，轉(zhuǎn)換成非揮發(fā)性記憶體標(biāo)準(zhǔn)的低功耗SRAM。

精密電​​壓參考和比較器監(jiān)視VCCinput是否超出容限的條件。

當(dāng)一個(gè)無效VCCcondition發(fā)生，條件芯片使能（經(jīng)濟(jì)）的輸出被強(qiáng)制停止到寫保護(hù)在SRAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

在電源發(fā)生故障時(shí)，SRAM是從VCCpin切換到鋰電池內(nèi)SNAPHAT ®提供的數(shù)據(jù)保留所需的能量。在隨后的電，仍寫在SRAM功率條件下，直到一個(gè)有效的回報(bào)保障。

28針，330萬在SOIC封裝提供可直接連接到一個(gè)單獨(dú)的SNAPHAT住房包含電池兩端鍍金觸點(diǎn)插座。獨(dú)特的設(shè)計(jì)使電池包的SNAPHAT擬就的SOIC封裝頂部安裝后的表面貼裝過程完成。

在回流焊后SNAPHAT防止?jié)撛诘淖》坎迦腚姵卦斐傻膿p害進(jìn)行設(shè)備表面安裝所需的高溫。該SNAPHAT住房是掛鉤的防止反向插入。

采用SOIC封裝和電池分別運(yùn)往塑料防靜電管或磁帶和卷軸形式。對于28引腳SOIC封裝，電池包（例如，SNAPHAT）的一部分，編號(hào)為“M4Z28 - BR00SH1”（SNAPHAT住房48毫安電池）或“M4Z32 - BR00SH1”（SNAPHAT 120 mAh電池外殼）。

主要特點(diǎn)

    轉(zhuǎn)換成低功率SRAM的NVRAMs
    精密電​​源監(jiān)測和電源開關(guān)電路
    自動(dòng)寫保護(hù)當(dāng)VCCis外的寬容
    電源電壓和功率的選擇失效取消電壓：
        M40Z111：的VCC = 4.5至5.5 V的主題性住戶統(tǒng)計(jì)= VSS的;≤4.5≤VPFD = VOUT的主題性住戶統(tǒng)計(jì)為4.75 V，4.2≤≤4.5伏VPFD
        M40Z111W：的VCC = 3.0至3.6 V性住戶統(tǒng)計(jì)調(diào)查= VSS的; 2.8≤3.0≤VPFD的Vcc = 2.7至3.3 V性住戶統(tǒng)計(jì)調(diào)查= VOUT的;≤2.5≤VPFD采用2.7 V
    小于15 ns的傳播延遲啟用存取芯片（為5.0 V的設(shè)備）
    包裝包括一個(gè)28引腳SOIC和SNAPHAT ®頂（需單獨(dú)訂購）
    SOIC封裝提供了一個(gè)SNAPHAT頂部包含電池直接連接
    符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
        無鉛二級(jí)互連

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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