說明

該M40Z300 / W型的NVRAM主管是一個獨立的裝置，轉(zhuǎn)換成非揮發(fā)性記憶體標(biāo)準(zhǔn)的低功耗SRAM。精密電​​壓參考和比較器監(jiān)視VCCinput是否超出容限的條件。

當(dāng)一個無效VCCcondition發(fā)生，條件芯片使能輸出（E1CONto E4CON）被迫停止到寫保護(hù)在SRAM中存儲的數(shù)據(jù)。在電源發(fā)生故障時，SRAM是從VCCpin切換到鋰電池內(nèi)SNAPHAT ®提供的數(shù)據(jù)保留所需的能量。在隨后的電，仍寫在SRAM功率條件下，直到一個有效的回報保障。

28針，330密耳SOIC封裝提供，可直接連接鍍金觸點插座到一個單獨的SNAPHAT住房含電池。該SNAPHAT房屋已鍍金引腳確�？煽窟B接，用以交配的插座。住房，關(guān)鍵在于有一套以防止不正確插入。這種獨特的設(shè)計使電池包的SNAPHAT擬就的SOIC封裝頂部安裝后的表面貼裝過程的完成，大大減少了焊成的支架中板生產(chǎn)直接焊接或插入電池過程的復(fù)雜性。提供非揮發(fā)性成了“小菜一碟。”采用16引腳SOIC封裝提供了一個外部用戶提供的電池電池引腳。

在回流焊后SNAPHAT防止?jié)撛诘淖》坎迦腚姵卦斐傻膿p害進(jìn)行設(shè)備表面安裝所需的高溫。該SNAPHAT住房也是扣住以防止反向插入。

28引腳SOIC封裝和電池分別運往塑料防靜電管或磁帶和卷軸形式。對于28引腳SOIC，電池/水晶包（例如，SNAPHAT）的一部分，編號為“M4ZXX - BR00SH”。

主要特點

    轉(zhuǎn)換成NVRAMs低功耗的SRAM
    精密電​​源監(jiān)測和電源開關(guān)電路
    自動寫保護(hù)時VCCis外的寬容
    雙輸入解碼器允許多達(dá)8 SRAM的控制（2設(shè)備在并聯(lián)型有源）
    電源電壓和功率的選擇失效取消電壓：
        M40Z300：的VCC = 4.5 V至5.5 V的主題性住戶統(tǒng)計= VSS的：4.5伏VPFD≤≤= VOUT的主題性住戶統(tǒng)計為4.75 V：4.2 V時≤VPFD≤4.5伏
        M40Z300W：的VCC = 3.0 V至3.6 V的主題性住戶統(tǒng)計= VSS的：2.8伏特≤3.0≤VPFD的Vcc = 2.7 V至3.3 V = VOUT的主題性住戶統(tǒng)計：≤2.5伏采用2.7 V≤VPFD
    復(fù)位輸出功率（RST）的上電復(fù)位
    電池低引腳（基本法）
    小于12 ns的傳播延遲啟用存取芯片（為5.0 V的設(shè)備）
    包裝包括一個28引腳SOIC和SNAPHAT ®頂（需單獨訂購），或16引腳SOIC
    SOIC封裝提供了一個SNAPHAT頂部包含電池直接連接
    符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
        無鉛二級互連

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價
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