概述
這P溝道2.5V指定的MOSFET使用了飛兆半導體先進的PowerTrench工藝堅固的門版本。 它已被優(yōu)化的柵極驅動電壓范圍廣(2.5V - 12V)電源管理應用。
特點
一個-20,-1.5 V。
R DS(ON)= 125 m寬@ VGS = -4.5 V
R DS(ON)= 190 m寬@ VGS = -2.5 V
開關速度快
非常低R DS(ON),高性能的溝槽技術
SuperSOT™-3提供低R DS(ON)和30%更高的功率比SOT23封裝,在相同的空間處理能力
應用/框圖(S)
電源管理
負荷開關
電池保護
全新原裝進口,現(xiàn) 貨庫存,歡迎來電詢價
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