概述
這單N溝道MOSFET的設計采用了飛兆半導體先進的功率溝槽過程優(yōu)化的 R DS（ON），@ V GS = 2.5V 。

特點
為200 mA，20 V，
R DS（ON）= 5Ω@ V GS = 4.5V
R DS（ON）= 7Ω@ V GS = 2.5V

ESD保護二極管（注3）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）
鋰離子電池

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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