概述
這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對(duì)降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點(diǎn)
9.4一個(gè)，20 V，R DS（ON）=14mΩ，@ V GS = 4.5V
9.4一個(gè)，20 V，R DS（ON）=18MΩ，V GS = 2.5V
低柵極電荷（典型值16 NC）
ESD保護(hù)二極管（注3）
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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