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描述
是一種MOS封閉的HGTG30N60A4高壓開關器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場效應晶體管和低導通狀態(tài)的雙極晶體管導通損失。較低的電壓降的導通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C。
這IGBT是理想的許多高電壓開關應用程序運行在高頻段低傳導損失的地方是至關重要的。該裝置進行了優(yōu)化,為高頻頻率切換式電源供應。
TA49343從前發(fā)育類型。
特征
在更大的占空比,操作>涵蓋課文中
在更大的占空比,200kHz 18A操作
SOA能力600伏特轉(zhuǎn)換
典型的秋天時間。。。。。。。。。。60ns 125°C =在研究
傳導損失低
溫度補償SABERTM模型 全新原裝進口,現(xiàn)貨庫存,歡迎來電詢價------------------------------------------------------------------------------------------
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