概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench™過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能。

特點

最大的R DS（ON）= 23MΩ在V GS = 10V，I D = 7A
最大的R DS（ON）= 36MΩ在V GS = 6V，I D = 5.5A
薄型 - 1毫米最大功率33
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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