概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。

特點(diǎn)

的R DS（ON）= 6.85mW（典型值）@ V GS = 10V，I D = 75A
開關(guān)速度快
低柵極電荷
極低的R DS（ON）的高性能溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流到直流轉(zhuǎn)換器
電信電源的同步整流
電池充電器
交流電機(jī)驅(qū)動器和不間斷電源
后備式UPS

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。