概述

此設(shè)備是專門為在蜂窩手機(jī)和其他超便攜應(yīng)用的電池充電或開關(guān)負(fù)載。 它采用了低通態(tài)電阻MOSFET。
這些MicroFET 1.6x1.6薄的封裝提供了卓越的的熱性能的物理尺寸，非常適合開關(guān)和線性模式的應(yīng)用

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 37mΩat的V GS = -4.5 V，I D = -5一個(gè)
最大R DS（ON）= 50MΩ的VG 小號(hào) = -2.5 V時(shí)，I D = -4一個(gè)
最大R DS（ON）= 65MΩ在V GS = -1.8 V，I D = -3一個(gè)
最大R DS（ON）= 100MΩ，在V GS = -1.5 V，I D = -2甲
低調(diào)：在新封裝的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
無鹵素化合物和氧化銻
HBM ESD保護(hù)水平> 1600V（注3）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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