概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
這種先進的技術已被特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量雪崩和通訊模式時脈。 這些器件非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數(shù)校正，電子燈鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。

特點

的R DS（ON）=8.5mΩ（典型值）@ V GS = 10V，I D = 40A
低柵極電荷（典型值57nC）
低C RSS（典型值145pF）
快速開關
改進的dv / dt能力
符合RoHS標準

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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