概述

這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關(guān)電源，如移相ZVS，基本全橋拓?fù)渲惺褂玫捏w二極管。

特點(diǎn)

40A，500V，
的R DS（ON）= 0.11 W @ V GS = 10V
低柵極電荷（典型值155 NC）
低CRSS（典型值95 pF的）
快速開關(guān)
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力
快速恢復(fù)體二極管（最大值，250ns的）

應(yīng)用筆記

AN - 9067：在LLC諧振轉(zhuǎn)換器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年8月19日

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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