概述
這些P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
尤其是針對(duì)這種先進(jìn)的技術(shù)，以盡量減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和通訊模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用，如汽車，直流/直流轉(zhuǎn)換器，效率高，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理開關(guān)。

特點(diǎn)
- 8.6A，- 60V，R DS（ON）= 0.175 W @ V GS = - 10V
低柵極電荷（典型13nC）
低CRSS（典型值45pF）
快速開關(guān)
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力
175℃的最高結(jié)溫評(píng)級(jí)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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