概述
這些N溝道功率MOSFET的制造使用的創(chuàng)新UItraFET過程中。 這種先進的工藝技術(shù)，實現(xiàn)了盡可能最低的每硅片面積上的電阻，優(yōu)秀的performance.This設(shè)備能夠在雪崩模式和二極管承受高能量的展品非常低的反向恢復(fù)時間，儲存的電荷。 它是專為電源效率是非常重要的應(yīng)用場合，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)轉(zhuǎn)換器，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動器，低壓總線開關(guān)，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理，使用。

特點
的R DS（ON）=0.075Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 15A
100％的雪崩測試
符合RoHS標準

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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