描述

HGT1S7N60C3DS和HGT1S7N60C3D的HGTP7N60C3D是馬鞍山,封閉的高電壓開(kāi)關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。這些設(shè)備的高輸入阻抗和低場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。較低的電壓降的導(dǎo)通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C。使用的是發(fā)育類(lèi)型TA49115 IGBT的。用于anti-parallel二極管的發(fā)展類(lèi)型和IGBT是TA49057。

是理想的IGBT的許多高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用操作以中等頻率低傳導(dǎo)損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機(jī)控制、電力供應(yīng)以及驅(qū)動(dòng)繼電器和接觸器、辦公自動(dòng)化設(shè)備。

TA49121從前發(fā)育類(lèi)型。

特征

• 在TC 4A,600伏特= 25°C
• SOA能力600伏特轉(zhuǎn)換
• 在典型的秋天時(shí)間................... 150°140ns研究= C
• 短路評(píng)級(jí)
• 傳導(dǎo)損失低
• 超高速Anti-Parallel二極管