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描述
這是一個Non-Punch通過HGTG18N120BND不擴散核武器條約》(NPT)IGBT的設計。這是一個新成員的MOS封閉的高電壓開關IGBT的家庭。結合的最佳特征IGBTs mosfet和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場效應晶體管和低onstate雙極晶體管導通損失。
是理想的IGBT的許多高電壓開關應用操作以中等頻率低傳導損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機控制、電力供應以及驅動繼電器和接觸器、辦公自動化設備。
特征
54A,1200V = 25°C,牽引力控制系統(tǒng)
SOA能力1200V切換
典型的秋天時間。。。。。。。。。。。。。。。140ns = 150°C在研究
短路評級
傳導損失低 全新原裝進口,現貨庫存,歡迎來電詢價------------------------------------------------------------------------------------------
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